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| 目前遇到電壓小一點點，電路無法產省正常的波形 |
解決方法:
我發現電壓如果寫VDD/2-dv 這樣的算法，好像輸出就有問題，發現了 VDD/2-VDD/2^12 ，這樣寫法會讓給的電壓有問題 ，只要寫次方項就有問題，改成VDD/4096
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| Mintour的電壓變化，對Napoleon的電壓變化影響小 ，有可能是跟M4 mos 的size有關 |
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| 第三個VCDL 產生不出脈衝波的原因 |
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| more detail about the three VCDL |
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| 最早可以讓SS corner 可以work的 參數 |
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| SCAN M0 to gain the variation |
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| SS corner situation , Ya my guess is right , but this is for VCDL tests alone |
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| SCAN Mrst to gain the variation |
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SS corner situation , Ya my guess is right , but this is for VCDL tests alone
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當電路在DATA放 inverter 出來結果會相反
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| 上面屬於PD_N 的數字 下面是屬於PD_P |
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| VCDL array 如果這樣皆是不會起振，不管你是偶數級還是奇數級 |
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| 這樣會有收斂問題 ，還是不能跑 ，但把Vctrlp Vctrln 電壓條好後就可以跑了 |
看起來有沒有加DTW 不影響 VCDL的輸出頻率 ， 只有震盪次數的問題
Time Domain Camparator 兩種狀況 右邊輸出預設為11才會運作出來
 目目前使用的 |
| SR -Latch 使用nor Gate |
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當Vip > Vin
DTWP=1 , DTWN=0
Outp=1 Outn=0 |
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當Vip < Vin
DTWP=0 , DTWN=1
Outp=0 Outn=1 |
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SS corner 隨著電容增加 ，電壓脈衝波越來越難升上去
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| 電容增大SS corner ， dekay 時間基本上會增加 |
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| Cap 增加 上升速度越慢 SS corner |
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| M0 PMOS length 逐漸增加 ，上升速度越慢 ,Delay越長 |
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| Length 越大 ，充電速度越慢 ， X Pmos |
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| 可以看到輸入mos 隨著mos增大 ，delay時間降低 ，上升速度越快 ，但變化不大 ，SS corner |
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| 掃描VCDL 輸入Vip 的 Mos ， 可以看到電壓越大 , delay 時間越小 , 上升速度越快 |
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| VCDL mos輸入端 隨著mos增大 |
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| 當Vctrl_n 電壓太小 ，會產生不出CLK ，根本就無法進行比較 |
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| 你可以看到我已經在DTW 雙端控制電壓Vctrlp &Vctrln都用0.5V ，但脈衝波速度仍然有差可見寄生電容不一樣 |
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| 條VCDL M0 pmos 的M ，M越大 充電速度越慢 ，分配的時間越少 ，震盪次數減少 |
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| 可以知道M0 Pmos 如果width Finger越大 充電速度也是越慢 |
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| 條M0 PMOS 的 Length 會導致放電速度變慢 ，差異非常大 |
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| Mrst 掃描 M只有影響放電速度 當width增加，放電時間變慢而已 |
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| Length增加 放電速度變慢 |
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| Data那邊掃描Cap， 的掃描圖 |
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| 當 Vip 電壓大於 Vin 時 的狀況 |
SR Latch
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| S=1 R=0 --> Q=1 ,QB=0 |
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| 同樣狀況 ， FS SS corner Q上升更慢 |
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S=0 R=1 --> Q=0 ,QB=1
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S=1 R=0 --> Q=1 ,QB=0
真的時間差到1n SR latch 會比錯 ，應該是要Q 跳起來 |
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SR latch delay 10n , S=1 R=0 --> Q=1 ,QB=0 ，感覺Q 充電需要時間，不能被其他打斷
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SR Latch 10p delay function work
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| TT |
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| FF |
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| SS |
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| SF |
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| FS |
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| Pmos size 小 ，充電電流不夠 |
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| 掃描仍然不行 ，已經把PMOS length 改成0.18u ，掃描M=10-30 ，仍然運作不了 |
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| 拿掉DTW輸出電容。會讓DTW運作不了 |
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| TPSC 條的差異 |
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| pd_n_clk +pd_n_d= n寄生電容 , pd_p_clk+pd_p_d= p寄生電容 |
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| 隨著dummy增加 ，確實時間差距越來越接近 |
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| VCDL 上下參數都一樣狀態下 ， 最終DTW 的結果 |
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| TSPC_with_set_Original every corner 目前調出來 |
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| TSPC_with_set_Original every corner Wave |
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| 第二種TSPC_with_set 的delay時間 |
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| TSPC_with_set evey wave |
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| 目前電路調整的方向及邏輯 |
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| 不同的Voltage control |
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| 想辦法讓SS corner 充電速度變快 |
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| 發現VCDL 每一級stage 的時間沒有成比例的增加 |
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| FS corner 由 1u -1m 都沒什麼變化 ，很有問題 ，要調一下，試看看 |
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| 掃描M7 finger=1~20 ， 最佳解為finger=3 |
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| 發現SS corner -25 -15 時無法運作 |
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| FS corner input referred noise 5m , DOUT 也只有647.058mV ，超奇怪的 |
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| VCDL M=3-9 TT corner |
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| VCDL M=1-10 FF corner |
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| VCDL Length=0.3u-2u ， Length=2u 可以變為0.82mV |
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| VCDL SS 4個 VCDL 脈衝波 ， mench 感覺5個以上VCDL ，波就時間來不急 |
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| normal nmos SS corner M=1-10 |
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| 但不會成功運作 |
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| TT corner 運作速度太快， DFF 來不及充放電，造成沒有如期運作 |
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| Function ERROR |
目目前使用的
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